FDC637BNZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDC637BNZ
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
Specifiche:	FDC637BNZ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	196139 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 196139 pcs

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Specifiche di FDC637BNZ

Modello di prodotti	FDC637BNZ	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	196139 pcs	Scheda dati	FDC637BNZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	FDC637BNZDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	895pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6.2A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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