FDC642P-F085P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDC642P-F085P
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	PMOS SSOT6 20V 65 MOHM
Specifiche:	FDC642P-F085P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6468 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6468 pcs

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Specifiche di FDC642P-F085P

Modello di prodotti	FDC642P-F085P	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	PMOS SSOT6 20V 65 MOHM	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6468 pcs	Scheda dati	FDC642P-F085P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSOT-23-6
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	65 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.2W (Ta)	Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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