FDC658AP

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDC658AP
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
Specifiche:	FDC658AP.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	440841 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 440841 pcs

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Specifiche di FDC658AP

Modello di prodotti	FDC658AP	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	440841 pcs	Scheda dati	FDC658AP.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	50 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	FDC658APTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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