FDD10N20LZTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD10N20LZTM
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
Specifiche:	FDD10N20LZTM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	92277 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di FDD10N20LZTM

Modello di prodotti	FDD10N20LZTM	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	92277 pcs	Scheda dati	FDD10N20LZTM.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	UniFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	360 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	FDD10N20LZTMCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	585pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7.6A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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