FDD8426H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD8426H
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
Specifiche:	FDD8426H.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	132807 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 132807 pcs

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Specifiche di FDD8426H

Modello di prodotti	FDD8426H	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	132807 pcs	Scheda dati	FDD8426H.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252-4L
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	12 mOhm @ 12A, 10V
Potenza - Max	1.3W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2735pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V	Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 40V 12A, 10A 1.3W Surface Mount TO-252-4L	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A, 10A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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