FDD850N10LD

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD850N10LD
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Specifiche:	FDD850N10LD.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	198850 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 198850 pcs

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Specifiche di FDD850N10LD

Modello di prodotti	FDD850N10LD	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	198850 pcs	Scheda dati	FDD850N10LD.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252-5
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	75 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	42W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Altri nomi	FDD850N10LD-ND FDD850N10LDTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1465pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	28.9nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 15.3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-5	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	15.3A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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