FDD8882

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD8882
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
Specifiche:	FDD8882.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	210459 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 210459 pcs

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Specifiche di FDD8882

Modello di prodotti	FDD8882	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	210459 pcs	Scheda dati	FDD8882.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252AA
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	11.5 mOhm @ 35A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	55W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	FDD8882-ND FDD8882TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1260pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12.6A (Ta), 55A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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