FDG6301N-F085P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDG6301N-F085P
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
Specifiche:	FDG6301N-F085P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4118 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4118 pcs

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Specifiche di FDG6301N-F085P

Modello di prodotti	FDG6301N-F085P	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4118 pcs	Scheda dati	FDG6301N-F085P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	SC-70-6
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Potenza - Max	300mW	Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	25V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA (Ta) 300mW Surface Mount SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	220mA (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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