FDMA507PZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMA507PZ
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
Specifiche:	FDMA507PZ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	97274 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 97274 pcs

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Specifiche di FDMA507PZ

Modello di prodotti	FDMA507PZ	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	97274 pcs	Scheda dati	FDMA507PZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	6-MicroFET (2x2)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	24 mOhm @ 7.8A, 5V
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	6-WDFN Exposed Pad	Altri nomi	FDMA507PZCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2015pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 7.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7.8A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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