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FDMB668P

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: FDMB668P
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
Specifiche: FDMB668P.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 5519 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5519 pcs
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Specifiche di FDMB668P

Modello di prodotti FDMB668P fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 5519 pcs Scheda dati FDMB668P.pdf
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie PowerTrench® Rds On (max) a Id, Vgs 35 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN Altri nomi FDMB668PTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2085pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata P-Channel 20V 6.1A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.1A (Ta)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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