FDMC6890NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMC6890NZ
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33
Specifiche:	FDMC6890NZ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	86103 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di FDMC6890NZ

Modello di prodotti	FDMC6890NZ	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	86103 pcs	Scheda dati	FDMC6890NZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	MicroFET 3x3mm
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	68 mOhm @ 4A, 4.5V
Potenza - Max	1.92W, 1.78W	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	6-MLP, Power33	Altri nomi	FDMC6890NZDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.4nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 1.92W, 1.78W Surface Mount MicroFET 3x3mm
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A

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Post-Vendita
Specifiche

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