FDMC86260ET150

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMC86260ET150
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 150V 5.4A POWER33
Specifiche:	FDMC86260ET150.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	34292 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di FDMC86260ET150

Modello di prodotti	FDMC86260ET150	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 5.4A POWER33	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	34292 pcs	Scheda dati	FDMC86260ET150.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	Power33
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	34 mOhm @ 5.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 65W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	FDMC86260ET150CT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 75V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	150V
Descrizione dettagliata	N-Channel 150V 5.4A (Ta), 25A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.4A (Ta), 25A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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