FDMD8680

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMD8680
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Specifiche:	FDMD8680.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	94038 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94038 pcs

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Specifiche di FDMD8680

Modello di prodotti	FDMD8680	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	94038 pcs	Scheda dati	FDMD8680.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	4.7 mOhm @ 16A, 10V
Potenza - Max	39W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	FDMD8680-ND FDMD8680OSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5330pF @ 40V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	80V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 66A (Tc) 39W Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	66A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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