FDMS3606AS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMS3606AS
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
Specifiche:	FDMS3606AS.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	88402 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 88402 pcs

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Specifiche di FDMS3606AS

Modello di prodotti	FDMS3606AS	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	88402 pcs	Scheda dati	FDMS3606AS.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.7V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	Power56
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	8 mOhm @ 13A, 10V
Potenza - Max	1W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	FDMS3606AS-ND FDMS3606ASTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1695pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	13A, 27A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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