FDMS8050

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMS8050
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Specifiche:	FDMS8050.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	51046 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51046 pcs

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Specifiche di FDMS8050

Modello di prodotti	FDMS8050	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	51046 pcs	Scheda dati	FDMS8050.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 750µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	0.65 mOhm @ 55A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	156W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	FDMS8050-ND FDMS8050OSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	22610pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	285nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 55A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	55A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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