FDMS86263P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMS86263P
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
Specifiche:	FDMS86263P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	76703 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 76703 pcs

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Specifiche di FDMS86263P

Modello di prodotti	FDMS86263P	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	76703 pcs	Scheda dati	FDMS86263P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	53 mOhm @ 4.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 104W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	FDMS86263PTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3905pF @ 75V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	150V
Descrizione dettagliata	P-Channel 150V 4.4A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.4A (Ta), 22A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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