FDMS86581-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMS86581-F085
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN
Specifiche:	FDMS86581-F085.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	89074 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 89074 pcs

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Specifiche di FDMS86581-F085

Modello di prodotti	FDMS86581-F085	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	89074 pcs	Scheda dati	FDMS86581-F085.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-PQFN (5x6)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	15 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tj)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	FDMS86581-F085OSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	881pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 30A (Tc) 50W (Tj) Surface Mount 8-PQFN (5x6)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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