FDN5618P_G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDN5618P_G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	INTEGRATED CIRCUIT
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4925 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4925 pcs

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Specifiche di FDN5618P_G

Modello di prodotti	FDN5618P_G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	INTEGRATED CIRCUIT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4925 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SuperSOT-3
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	170 mOhm @ 1.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13.8nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.25A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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