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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modello di prodotti | FDP020N06B-F102 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS |
| quantità disponibile | 17207 pcs | Scheda dati | FDP020N06B-F102.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Serie | PowerTrench® | Rds On (max) a Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 333W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 | Altri nomi | FDP020N06B FDP020N06B-ND FDP020N06B_F102 FDP020N06B_F102-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20930pF @ 30V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 268nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| UPS | www.UPS.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| TNT | www.TNT.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
