FDP10N60NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDP10N60NZ
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Specifiche:	1.FDP10N60NZ.pdf 2.FDP10N60NZ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	30902 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 30902 pcs

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Specifiche di FDP10N60NZ

Modello di prodotti	FDP10N60NZ	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	30902 pcs	Scheda dati	1.FDP10N60NZ.pdf 2.FDP10N60NZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	UniFET-II™	Rds On (max) a Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	185W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1475pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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