FDP24AN06LA0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDP24AN06LA0
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
Specifiche:	1.FDP24AN06LA0.pdf 2.FDP24AN06LA0.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3367 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3367 pcs

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Specifiche di FDP24AN06LA0

Modello di prodotti	FDP24AN06LA0	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3367 pcs	Scheda dati	1.FDP24AN06LA0.pdf 2.FDP24AN06LA0.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	19 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 7.8A (Ta), 40A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7.8A (Ta), 40A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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