FDP2710-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDP2710-F085
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 250V 4A TO-220
Specifiche:	FDP2710-F085.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	21415 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21415 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di FDP2710-F085

Modello di prodotti	FDP2710-F085	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 4A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	21415 pcs	Scheda dati	FDP2710-F085.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	47 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	403W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	FDP2710_F085 FDP2710_F085-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5690pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	101nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	250V
Descrizione dettagliata	N-Channel 250V 4A (Ta) 403W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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