FDP5500-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDP5500-F085
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
Specifiche:	1.FDP5500-F085.pdf 2.FDP5500-F085.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	22379 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 22379 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $1.623

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Specifiche di FDP5500-F085

Modello di prodotti	FDP5500-F085	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	22379 pcs	Scheda dati	1.FDP5500-F085.pdf 2.FDP5500-F085.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	FDP5500_F085 FDP5500_F085-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3565pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	269nC @ 20V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	55V
Descrizione dettagliata	N-Channel 55V 80A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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