FDP8N50NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDP8N50NZ
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
Specifiche:	1.FDP8N50NZ.pdf 2.FDP8N50NZ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	49791 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 49791 pcs

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Specifiche di FDP8N50NZ

Modello di prodotti	FDP8N50NZ	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	49791 pcs	Scheda dati	1.FDP8N50NZ.pdf 2.FDP8N50NZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	UniFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	850 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	735pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	500V	Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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