FDPC8012S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDPC8012S
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
Specifiche:	FDPC8012S.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	52266 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52266 pcs

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Specifiche di FDPC8012S

Modello di prodotti	FDPC8012S	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	52266 pcs	Scheda dati	FDPC8012S.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	Powerclip-33
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	7 mOhm @ 12A, 4.5V
Potenza - Max	800mW, 900mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	FDPC8012S-ND FDPC8012STR Q7602092
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1075pF @ 13V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	25V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 13A, 26A 800mW, 900mW Surface Mount Powerclip-33
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	13A, 26A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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