FDPF18N20FT-G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDPF18N20FT-G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N CH 200V 18A TO220F
Specifiche:	FDPF18N20FT-G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	41133 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 41133 pcs

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Specifiche di FDPF18N20FT-G

Modello di prodotti	FDPF18N20FT-G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N CH 200V 18A TO220F	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	41133 pcs	Scheda dati	FDPF18N20FT-G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220F-3
Serie	UniFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	140 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	FDPF18N20FT_G FDPF18N20FT_G-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1180pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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