FDS5170N7

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDS5170N7
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
Specifiche:	FDS5170N7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6427 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6427 pcs

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Specifiche di FDS5170N7

Modello di prodotti	FDS5170N7	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6427 pcs	Scheda dati	FDS5170N7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	12 mOhm @ 10.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	FDS5170N7DKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2889pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 10.6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10.6A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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