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FDS7060N7

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: FDS7060N7
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
Specifiche: FDS7060N7.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 4362 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 4362 pcs
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Specifiche di FDS7060N7

Modello di prodotti FDS7060N7 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 4362 pcs Scheda dati FDS7060N7.pdf
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore 8-SO
Serie PowerTrench® Rds On (max) a Id, Vgs 5 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Altri nomi FDS7060N7_NL
FDS7060N7_NLTR
FDS7060N7_NLTR-ND
FDS7060N7TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3274pF @ 15V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 19A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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