FDS8449-F085P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDS8449-F085P
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	NMOS SO8 40V 29 MOHM
Specifiche:	FDS8449-F085P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6942 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6942 pcs

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Specifiche di FDS8449-F085P

Modello di prodotti	FDS8449-F085P	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	NMOS SO8 40V 29 MOHM	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6942 pcs	Scheda dati	FDS8449-F085P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	29 mOhm @ 7.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta)	Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	40V	Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 7.6A (Ta) 5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7.6A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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