FDS9412A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDS9412A
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
Specifiche:	FDS9412A.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5160 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5160 pcs

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Specifiche di FDS9412A

Modello di prodotti	FDS9412A	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5160 pcs	Scheda dati	FDS9412A.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	21 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	985pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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