FDT86106LZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDT86106LZ
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
Specifiche:	1.FDT86106LZ.pdf 2.FDT86106LZ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	196533 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 196533 pcs

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Specifiche di FDT86106LZ

Modello di prodotti	FDT86106LZ	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	196533 pcs	Scheda dati	1.FDT86106LZ.pdf 2.FDT86106LZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223-4
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	108 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.2W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	Altri nomi	FDT86106LZ-ND FDT86106LZTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.2A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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