FDW2601NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDW2601NZ
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP
Specifiche:	FDW2601NZ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5691 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5691 pcs

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Specifiche di FDW2601NZ

Modello di prodotti	FDW2601NZ	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5691 pcs	Scheda dati	FDW2601NZ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-TSSOP
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	15 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Potenza - Max	1.6W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1840pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 8.2A 1.6W Surface Mount 8-TSSOP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8.2A

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Post-Vendita
Specifiche

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