FDZ3N513ZT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDZ3N513ZT
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Specifiche:	FDZ3N513ZT.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4112 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4112 pcs

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Specifiche di FDZ3N513ZT

Modello di prodotti	FDZ3N513ZT	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4112 pcs	Scheda dati	FDZ3N513ZT.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	+5.5V, -0.3V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	4-WLCSP (1x1)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	4-UFBGA, WLCSP	Altri nomi	FDZ3N513ZTCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 125°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	85pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Schottky Diode (Body)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	3.2V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (1x1)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.1A (Ta)

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