FJN3305RBU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FJN3305RBU
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Specifiche:	FJN3305RBU.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	7094 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7094 pcs

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Specifiche di FJN3305RBU

Modello di prodotti	FJN3305RBU	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	7094 pcs	Scheda dati	FJN3305RBU.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	TO-92-3
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potenza - Max	300mW
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	FJN3305

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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