FJV4113RMTF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FJV4113RMTF
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Specifiche:	1.FJV4113RMTF.pdf 2.FJV4113RMTF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	429964 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 429964 pcs

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Specifiche di FJV4113RMTF

Modello di prodotti	FJV4113RMTF	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	429964 pcs	Scheda dati	1.FJV4113RMTF.pdf 2.FJV4113RMTF.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	PNP - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms	Potenza - Max	200mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi	FJV4113RMTFCT	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	200MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA	Numero di parte base	FJV4113

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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