FP7G75US60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FP7G75US60
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MODULE IGBT 600V 75A EPM7
Specifiche:	FP7G75US60.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3920 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3920 pcs

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Specifiche di FP7G75US60

Modello di prodotti	FP7G75US60	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MODULE IGBT 600V 75A EPM7	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3920 pcs	Scheda dati	FP7G75US60.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	600V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	2.8V @ 15V, 75A
Contenitore dispositivo fornitore	EPM7	Serie	Power-SPM™
Potenza - Max	310W	Contenitore / involucro	EPM7
temperatura di esercizio	-40°C ~ 125°C (TJ)	Termistore NTC	No
Tipo montaggio	Chassis Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	4.515nF @ 30V
Ingresso	Standard	Tipo IGBT	-
Descrizione dettagliata	IGBT Module Half Bridge 600V 75A 310W Chassis Mount EPM7	Corrente - Cutoff collettore (max)	250µA
Corrente - collettore (Ic) (max)	75A	Configurazione	Half Bridge

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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