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FQA65N20

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: FQA65N20
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
Specifiche: FQA65N20.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 21448 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 21448 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
450 pcs
$1.638
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Specifiche di FQA65N20

Modello di prodotti FQA65N20 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 21448 pcs Scheda dati FQA65N20.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN
Serie QFET® Rds On (max) a Id, Vgs 32 mOhm @ 32.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 Altri nomi FQA65N20-ND
FQA65N20FS
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7900pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 200V
Descrizione dettagliata N-Channel 200V 65A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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