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FQA8N80C

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
FQA8N80C Image
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: FQA8N80C
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
Specifiche: FQA8N80C.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 3295 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 3295 pcs
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Specifiche di FQA8N80C

Modello di prodotti FQA8N80C fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 3295 pcs Scheda dati FQA8N80C.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN
Serie QFET® Rds On (max) a Id, Vgs 1.55 Ohm @ 4.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 220W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 800V Descrizione dettagliata N-Channel 800V 8.4A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-3PN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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