FQA9P25

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQA9P25
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P
Specifiche:	FQA9P25.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	40678 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40678 pcs

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Specifiche di FQA9P25

Modello di prodotti	FQA9P25	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	40678 pcs	Scheda dati	FQA9P25.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3PN
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	620 mOhm @ 5.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-3P-3, SC-65-3	Altri nomi	FQA9P25-ND FQA9P25FS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1180pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	250V
Descrizione dettagliata	P-Channel 250V 10.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PN	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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