FQB17P06TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQB17P06TM
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Specifiche:	FQB17P06TM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6645 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6645 pcs

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Specifiche di FQB17P06TM

Modello di prodotti	FQB17P06TM	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6645 pcs	Scheda dati	FQB17P06TM.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	120 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.75W (Ta), 79W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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