FQB34N20LTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQB34N20LTM
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Specifiche:	FQB34N20LTM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	33904 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33904 pcs

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Specifiche di FQB34N20LTM

Modello di prodotti	FQB34N20LTM	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	33904 pcs	Scheda dati	FQB34N20LTM.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	75 mOhm @ 15.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.13W (Ta), 180W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	FQB34N20LTM-ND FQB34N20LTMCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3900pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 31A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	31A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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