FQB9N50CFTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQB9N50CFTM
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Specifiche:	FQB9N50CFTM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4895 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4895 pcs

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Specifiche di FQB9N50CFTM

Modello di prodotti	FQB9N50CFTM	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4895 pcs	Scheda dati	FQB9N50CFTM.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Serie	FRFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	850 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	173W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	FQB9N50CFTMTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1030pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	500V
Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 9A (Tc) 173W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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