FQD12N20TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQD12N20TM
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Specifiche:	1.FQD12N20TM.pdf 2.FQD12N20TM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	114528 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 114528 pcs

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Specifiche di FQD12N20TM

Modello di prodotti	FQD12N20TM	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	114528 pcs	Scheda dati	1.FQD12N20TM.pdf 2.FQD12N20TM.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-Pak
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	280 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 55W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	FQD12N20TM-ND FQD12N20TMFSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	910pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	200V
Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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