FQD17N08LTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQD17N08LTM
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
Specifiche:	1.FQD17N08LTM.pdf 2.FQD17N08LTM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	170643 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 170643 pcs

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Specifiche di FQD17N08LTM

Modello di prodotti	FQD17N08LTM	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	170643 pcs	Scheda dati	1.FQD17N08LTM.pdf 2.FQD17N08LTM.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	100 mOhm @ 6.45A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 40W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	FQD17N08LTM-ND FQD17N08LTMTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	80V
Descrizione dettagliata	N-Channel 80V 12.9A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12.9A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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