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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modello di prodotti | FQD4N25TM-WS | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS |
| quantità disponibile | 256955 pcs | Scheda dati | 1.FQD4N25TM-WS.pdf2.FQD4N25TM-WS.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | D-Pak |
| Serie | QFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Altri nomi | FQD4N25TM-WSTR FQD4N25TM_WS FQD4N25TM_WS-ND FQD4N25TM_WSTR FQD4N25TM_WSTR-ND FQD4N25TMWS |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 250V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount D-Pak | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| UPS | www.UPS.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| TNT | www.TNT.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
