FQE10N20CTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQE10N20CTU
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
Specifiche:	FQE10N20CTU.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4459 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4459 pcs

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Specifiche di FQE10N20CTU

Modello di prodotti	FQE10N20CTU	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 4A TO-126	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4459 pcs	Scheda dati	FQE10N20CTU.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-126
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	360 mOhm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	12.8W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-225AA, TO-126-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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