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FQP18N20V2

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: FQP18N20V2
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Specifiche: 1.FQP18N20V2.pdf2.FQP18N20V2.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 4963 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 4963 pcs
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Specifiche di FQP18N20V2

Modello di prodotti FQP18N20V2 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 4963 pcs Scheda dati 1.FQP18N20V2.pdf2.FQP18N20V2.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3
Serie QFET® Rds On (max) a Id, Vgs 140 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 123W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V Descrizione dettagliata N-Channel 200V 18A (Tc) 123W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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