FQP33N10L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQP33N10L
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
Specifiche:	1.FQP33N10L.pdf 2.FQP33N10L.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3632 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3632 pcs

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Specifiche di FQP33N10L

Modello di prodotti	FQP33N10L	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 33A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3632 pcs	Scheda dati	1.FQP33N10L.pdf 2.FQP33N10L.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	52 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	127W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1630pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 33A (Tc) 127W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	33A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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