FQPF10N20

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQPF10N20
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F
Specifiche:	FQPF10N20.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3111 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3111 pcs

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Specifiche di FQPF10N20

Modello di prodotti	FQPF10N20	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3111 pcs	Scheda dati	FQPF10N20.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220F
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	360 mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 6.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6.8A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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