FQT4N25TF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQT4N25TF
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
Specifiche:	1.FQT4N25TF.pdf 2.FQT4N25TF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	147076 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 147076 pcs

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Specifiche di FQT4N25TF

Modello di prodotti	FQT4N25TF	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	147076 pcs	Scheda dati	1.FQT4N25TF.pdf 2.FQT4N25TF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-223-4
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	1.75 Ohm @ 415mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Tc)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	TO-261-4, TO-261AA	Altri nomi	FQT4N25TFDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	250V
Descrizione dettagliata	N-Channel 250V 830mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	830mA (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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